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고성능 단일 이미터 레이저 다이오드 칩/바/어레이/스택

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고성능 단일 이미터 레이저 다이오드 칩/바/어레이/스택

고성능 단일 이미터 레이저 다이오드 칩/바/어레이/스택
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큰 이미지 :  고성능 단일 이미터 레이저 다이오드 칩/바/어레이/스택

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Sintec Optronics
모델 번호: STCX 시리즈
결제 및 배송 조건:
배달 시간: 5-7days
지불 조건: 은행을 통한 T/T

고성능 단일 이미터 레이저 다이오드 칩/바/어레이/스택

설명
하이 라이트:

고전력 단일 방출 레이저 다이오드

,

단발광 레이저 다이오드

,

레이저 다이오드

고전력 다이오드 단일 이미터 레이저 칩 / 바 / 어레이 / 스택

 

(1) 고출력 싱글 이미터 레이저 칩 - BC 시리즈

광학          
중심 파장 nm 915 915 976 976
파장 공차 nm ±10 ±10 ±3 ±3
출력 파워 25 30 25 30
작동 모드 # CW CW CW CW
빠른 축 발산 55 55 55 55
느린 축 발산 9.5 9.5 9.5 9.5
스펙트럼 폭(FWHM) nm 4 4 4 4
파장 온도 계수 nm/℃ 0.3 0.3 0.33 0.33
TE 편광 % 97 97 97 97
전기 같은          
이미 터 폭 μm 195 230 195 230
캐비티 길이 mm 4.5 4.5 4.5 4.5
너비 μm 400 400 400 400
두께 μm 145 145 145 145
기하학          
전기 광학 변환 Eff. % 62 62 63 63
슬로프 효율성 W/A 1.15 1.15 1.1 1.1
임계값 전류 1.5 1.8 1.1 1.5
작동 전류 25 30 25 30
작동 전압 V 1.65 1.65 1.55 1.55

(2) 고전력 다이오드 바 – BB 시리즈

광학              
중심 파장 nm 808 808 808 808 940 940
파장 공차 nm ±10 ±10 ±10 ±3 ±3 ±3
출력 파워 50 60 100 ≥500 200 ≥700
빠른 축 발산 ≤65 ≤65 ≤65 ≤65 ≤55 ≤55
느린 축 발산 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5
스펙트럼 폭(FWHM) nm ≤2.5 ≤2.5 ≤3 ≤3.5 ≤3 5
TE 편광 TM/TE
파장 온도 계수 nm/℃ 0.28 0.28 0.28 0.28 0.3 0.3
전기 같은              
전기 광학 변환 Eff % ≥55 ≥55 ≥55 ≥58 ≥63 ≥63
슬로프 효율성 W/A 1.25 1.25 1.25 1.25 1 1.15
임계 전류 8 12 15 25 25 25
작동 전류 50 60 105 ≤430 220 650
작동 전압 V 1.8 1.8 1.8 2.0 1.55 1.7
펄스 폭 우리를 - - - 200 - 500
펄스 주파수 Hz - - - 400 - 160
펄스 듀티 사이클 % - - - 8 - 8
기하학              
이미 터 수 # 19 49 49 34 24 34
이미 터 폭 μm 150 100 100 232 200 232
이미 터 피치 μm 500 200 200 290 400 290
필 팩터 % 30 50 50 80 50 80
캐비티 길이 mm 1.0 1.0 1.5 1.5 2
바 두께 μm 145 145 145 115 115 115
바 길이 mm 10 10 10 10.25 10.25 10.25
열의              
작동 온도 25 25 25 25 20 25
보관 온도 40~80 -40~80 40~80 40~80 -40~80 40~80
유속 L/분 / 0.25 0.25 0.20 0.25 0.25

(3) 고전력 다이오드 VCSEL 칩 - TOF 시리즈

광학          
중심 파장@Iop nm 808 850 940 940
스펙트럼 폭(반폭) nm 2 2 2 2
파장 이동/온도 nm/℃ 0.07 0.07 0.07 0.07
이미 터 조리개 μm 10 10 10 10
이미 터 최소 피치 μm 44 47 33 40
이미터 번호 / 621 1216년 305 364
출력 파워 3.1 4 2.1 3.1
작동 전류 3.5 5 2.8 3.5
전력 소비 7 10 5.6 7
작동 전압 V 2 2 2 2
운영 효율성 % 35 40 40 40
임계 전류 0.7 1.2 0.38 0.47
발산각 ° 22 22 20 20
기하학          
이미 터 길이 μm 916 1535년 525 916
이미터 폭 μm 901 1560년 615 610
칩 길이 μm 1206년 1845년 695 996
칩 폭 μm 1006 1670년 795 890
칩 두께 μm 100 100 100 100

(4) 고전력 다이오드 VCSEL 칩 - SL 시리즈

광학        
중심 파장@Iop nm 934 940 946
스펙트럼 폭(반폭) nm   2  
파장 이동/온도 nm/℃   0.07  
이미 터 조리개 μm   8  
이미 터 최소 피치 μm   21  
투광기 번호(A영역) -   377  
투광기 번호(B구역) -   6  
출력 전력(지역 A) 1.3 1.5 1.7
출력 전력(B 지역)   0.024  
단일 포인트 전력   0.004  
동작전류(A영역)   3.6  
동작전류(B영역)   0.06  
소비전력(A면적)   3.6  
소비전력(B지역)   0.06  
작동 전압 V   2  
운영 효율성 %   40 45
문턱 전류(지역 A)   0.38  
임계 전류(영역 B)   0.006  
발산각 °   20  
기하학        
발광 영역 길이 μm   523  
발광 면적 폭 μm   548  
칩 길이 μm 758 778 798
칩 폭 μm 701 721 741
칩 두께 μm 90 100 110

(5) 고전력 다이오드 VCSEL 칩 – LI 시리즈

광학      
중심 파장 nm 905 940
스펙트럼 폭(반폭) nm 2 2
파장 이동/온도 nm/℃ 0.07 0.07
이미 터 조리개 μm 12 12
이미 터 최소 피치 μm 22 22
이미터 번호 / 136 136
출력 파워 60 60
작동 전류 15 15
전력 소비 300 300
작동 전압 V 25 25
운영 효율성 % 20 20
임계 전류 0.2 0.2
발산각 ° 20 20
기하학      
이미 터 길이 μm 273 273
이미터 폭 μm 288 288
칩 길이 μm 520 520
칩 폭 μm 401 401
칩 두께 μm 100 100

(6) 고출력 다이오드 레이저 장치 – COS 시리즈

광학          
중심 파장 nm 915 915 976 976
파장 공차 nm ±10 ±10 ±3 ±3
출력 파워 25 30 25 30
작동 모드 # CW CW CW CW
빠른 축 발산 55 55 55 55
느린 축 발산 9.5 9.5 9.5 9.5
스펙트럼 폭(FWHM) nm 4 4 4 4
파장 온도 계수 nm/℃ 0.3 0.3 0.33 0.33
TE 편광 % 97 97 97 97
전기 같은          
전기 광학 변환 효과 % 62 62 63 63
슬로프 효율성 W/A 1.15 1.15 1.1 1.1
임계값 전류 1.5 1.8 1.1 1.5
작동 전류 25 30 25 30
작동 전압 V 1.65 1.65 1.55 1.55
기하학          
이미 터 폭 μm 195 230 195 230
캐비티 길이 mm 4.5 4.5 4.5 4.5
너비 μm 400 400 400 400
두께 μm 145 145 145 145

(7) 고출력 다이오드 레이저 장치 – MCC 시리즈

광학              
중심 파장 nm 808 808 808 808 940 940
파장 공차 nm ±10 ±10 ±10 ±10 ±3 ±3
출력 파워 50 60 100 ≥500 200 200
빠른 축 발산 ≤65 ≤65 ≤65 ≤65 ≤55 ≤55
느린 축 발산 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5
스펙트럼 폭(FWHM) nm ≤2.5 ≤2.5 ≤3 ≤3.5 ≤3 ≤3
편광 모드 TM/TE        
파장 온도 계수 nm/℃ 0.28 0.28 0.28 0.28 0.3 0.3
전기 같은              
전기 광학 변환 효과 % ≥55 ≥55 ≥55 ≥58 ≥63 ≥63
슬로프 효율성 W/A 1.25 1.25 1.25 1.25 1 1.15
임계값 전류 8 12 15 25 25 25
작동 전류 50 60 105 ≤430 220 650
작동 전압 V 1.8 1.8 1.8 2.0 1.55 1.7
펄스 폭 우리를 - - - 200 - 500
펄스 주파수 Hz - - - 400 - 160
펄스 듀티 사이클 % - - - 8 - 8
기하학              
이미 터 수 # 19 49 49 34 24 34
이미 터 폭 μm 150 100 100 232 200 232
이미 터 피치 μm 500 200 200 290 400 290
필 팩터 % 30 50 50 80 50 80
캐비티 길이 mm 1.0 1.0 1.5 1.5 2
바 두께 μm 145 145 145 115 115 115
바 길이 mm 10 10 10 10.25 10.25 10.25
열의              
운영 임시 직원. 25 25 25 25 20 25
보관 온도 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80
유수율 L/분 / 0.25 0.25 0.20 0.25 0.25

(8) 고출력 다이오드 레이저 스택 - MCP 시리즈

광학        
중심 파장 nm 808 808 808
파장 공차 nm ±10 ±10 ±3
출력 파워 60 100 300
막대 수 # 2 ~ 60 2 ~ 60 2 ~ 60
스펙트럼 폭(FWHM) nm ≤8 ≤8 4
작동 모드 # CW CW QCW
빠른 축 발산 ≤42 ≤42 40
느린 축 발산 ≤10 ≤10 10
파장 온도 계수 nm/℃ 0.28 0.28 0.28
전기 같은        
전력 변환 효율 % 50 50 50
슬로프 효율성/바 W/A ≥1.1 ≥1.1 1.1
임계 전류 4.5 4.5 4.5
작동 전류 0.16 0.16 290
작동 전압/바 V ≤2 ≤2 1.8
열의        
작동 온도 15 ~ 35 15 ~ 35 25
보관 온도 0~55 0~55 0~55
바/물 속도/바 l/m 0.3~0.5 0.3~0.5 0.3
입구 최대 압력 psi 55 55 55
물의 종류 - DI워터 DI워터 DI워터
탈이온수 저항(DI) kΩ·cm 200~500 200~500 200~500
순수한 물 필터 입자 μm <20 <20 <20

(9) 고출력 다이오드 레이저 스택 - QCP 시리즈

광학      
중심 파장 nm 808 808
파장 공차 ±3 ±10
바 출력 전력/바 % 300 40
막대 수 % 2 ~ 24 60
총 출력 전력 μm - 2400
막대 간 간격 - 0.4 ~ 1.8 0.9
스펙트럼 폭(FWHM) - 4 8
펄스 폭 50-500 10-100
반복률   1-200 1-10
빠른 축 발산(FWHM) nm 40 40
저속축 발산(FWHM) 밀리와트 10 10
파장 온도 계수   0.28 0.28
전기 같은      
전기 광학 변환 Eff % 50 50
슬로프 효율성/바 W/A 1.1 1.1
임계 전류 20 10
작동 전류 300 50
작동 전압/바 V 2 1.8
열의      
물의 종류 - 순수한 물 순수한 물
작동 온도 25 25
보관 온도 -40-85 -40-85

(10) 고출력 다이오드 레이저 장치 – TO 시리즈

광학        
    전형적인 최대
중심 파장 nm 820 830 840
파장 공차 nm   ±10  
출력 파워   1.0  
스펙트럼 폭(FWHM) nm   3.0 4.0
파장 온도 계수 nm/℃   0.3  
전기 같은        
전기 광학 변환 Eff % 36 42  
슬로프 효율성 W/A 1.05 1.1  
임계 전류   0.38 0.45
작동 전류   1.28 1.40
작동 전압 V   1.8 2.2
열의        
작동 온도 0 25 40
보관 온도   -20~70  

SBN 시리즈 다이오드 aser 칩/바/스택

연락처 세부 사항
Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,

담당자: Steven

전화 번호: +86 15671598018

팩스: 86-027-51858989

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